龙芯世纪芯片失效分析主要提供封装去除、层次去除、芯片染色、芯片拍照、大图彩印、电路修改等技术服务项目。
封装去除 
    我们利用先进的开盖设备和丰富的操作经验，能够安全快速去除各种类型的芯片封装，专业提供芯片开盖与取晶粒服务。
层次去除 
    我们采用先进的刻蚀设备和成熟的刻蚀方法，专业提供去除聚酰亚氨（Polyimide）、去除氧化层（SiO2）、去除钝化层（Si3N4、SiO2）、去除金属层（Al 、CU、W）等芯片去层次技术支持与服务，承诺以完美的刻蚀效果为客户提供专业的芯片处理。
芯片染色 
龙芯世纪专业提供芯片阱区染色及ROM码点染色服务。

芯片拍照 
    芯片拍照是反向工程中一个重要的环节，为了能够提提供完美的拍照效果，公司购进了最先进的德国莱卡显微镜和蔡司电子显微镜（SEM）等设备，能够拍摄90nm工艺以上的各种芯片的图像。
同时为了更好满足客户浏览图像的需要，龙芯世纪可免费为客户进行图像的三维拼接，能够达到同层图像完整无缝，异层图像精确对准的效果。
大图彩印 
    芯片大图彩印是指把芯片数码图像印刷成大幅面纸张照片。龙芯世纪芯片大图彩印主要工艺优势表现在： 
大图完整无缝，大图效果就像芯片本身被放大成指定倍率后的效果一样，完全避免了传统拼图中的丢线和图像参差现象发生。 
    异层照片精确对准，印刷后的大图严格保留着芯片层间对准关系，提图时可以很方便地进行通孔定位。 
精确放大倍率，1um在放大1000倍时，在照片上就是严格的1mm，从而保证精确快捷地测量器件的尺寸。 
定位线和微米尺，每幅大图边框上绘制了以微米为单位的坐标系和半透明定位线，以方便用户测量和定位。
电路修改 
    我们利用先进的聚焦离子束机（FIB）通过刻蚀和沉积的方法能够修改多层布线的集成电路芯片。主要服务项目包括集成电路芯片引线修改（能够修改最小工艺为90nm）；集成电路芯片材料和成分鉴定；微电路故障分析（最小尺寸为40nm）；制作纳米级的光电子器件、生物传感器件和超到电子器件等。

龙芯世纪芯片失效分析流程： 
    1、外观检查，识别crack，burnt mark等问题，拍照。
    2、非破坏性分析：主要用xray查看内部结构，csam—查看是否存在delamination
    3、进行电测。
    4、进行破坏性分析：即机械机械decap或化学decap等

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