LED失效主要影响因素在封胶质量，芯片质量问题，工艺问题，内部绑定焊接问题，ESD问题等。

    LED失效分析步骤必须遵循非破坏性，可逆，可重复的实验，再做半破坏性，不可重复的实验，最后进行破坏性试验的原则。采用合适的分析方法，最大限度地防止把被分析器件的真正失效因素，迹象丢失或引入新的失效因素，以其得到客观的分析结论。

LED失效分析方法:

1）减薄树脂光学透视法

2）半腐蚀解剖法

3）金相学分析法

4）析因实验分析法

5）变电流观察法

案例小结:

1结温过高造成暗灯

造成温度过高原因有散热不良，导热不良，原因有芯片位置偏移，银胶不良，封装树脂导热不良等。其他导致暗灯的原因还会有焊点焊接不良，芯片损伤等。分析方法采用X射线分析，光学分析，剖切界面分析，结构分析，封装材料性能分析等。

2ESD损伤致LED方向电流大

开封后，使用高倍显微镜观察芯片表面，检查是否有ESD损伤点

3内气泡致LED单灯开路

一般是由于封胶内热应力释放途径受阻，在冷热温差较大的温度环境下，引起金丝焊点在有气泡的位置断裂。

4二焊开路造成LED开路

一般可先采用减薄封胶法，用光学透视观察，在立体显微镜下观察封装情况，二焊点金丝线体和焊接面情况。如果未有发现，可采用减薄树脂光学透视法，若任然无法看清开路点，最后再用切片剖析法，解剖后可清楚看到金丝二焊点断开情况。

 

 

伍经理 经理

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