．化学蚀刻去封胶
利用化学溶液，将IC封胶部分用蚀刻的方式将其去除，以达到晶粒裸露的目的
．雷射蚀刻去封胶
利用激光束，将IC封胶部分碳化去除，此方式可精确掌控开窗大小，并减少过度去除的风险，且降低影响IC电性的机会。
．干式蚀刻及研磨去层次
利用化学溶液/气体或研磨的方式，将IC本身的层次，包含金属及氧化层，逐一去除，并可控制要停留及保留的层次。
I-V特性量测
这个服务项目的目的,主要是为了验证及量测半导体电子组件之电性 参数及特性,比如电压-电流、电容-电压特性曲线,电阻、电容、电感值量测等,闳康亦针对chip level提供硬针及软针(主要针对线路修补后之电性量测及验证)之探针量测服务
EMMI
在IC故障分析服务方案中，EMMI与OBIRCH是非常灵敏的故障点定位工具，在硬件方面，我们除了有传统的Si CCD，更有高阶的InGaAs侦测器，搭配我们的雷射OBIRCH的设备，不只针对组件基板的故障点，其它如IC组件的金属导线缺陷等，我们也都可以提供全方位分析服务。在专业人力方面，我们有各产业，特别是在IC制程领域中经验丰富的人才，平均年资超过10年，可以提供您更深度的咨询服务，以节省您宝贵的产品开发成本。
当半导体组件有过量的电子-电洞产生时，会因电子-电洞的跃迁而产生红光子，，此可被光子显微镜(EMMI) 侦测到。当组件故障是由于氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应、撞击游离及饱和的晶体管时，将会产生过量的电子-电洞对，而伴随因电子-电洞跃迁产生的光子，可由光子显微镜精确地定位出此种故障位置。此项技术对集成电路的缺陷是非常灵敏的，然而它也被用来区别是设计或测试条件所衍生的假性缺陷(光激发)。
InGaAs
InGaAs EMMI 与传统EMMI (Si CCD) 的侦测原理几乎相同，但是由于两者的光子侦测器的材料不同(InGaAs及Si)，所以可侦测的微光波长范围也不同。因为InGaAs的能隙较小，因此可侦测的波长较Si可侦测的波长较长。原理如下:当半导体组件有过量的电子-电洞产生时，会因电子-电洞的对销而产生红光子，，此可被光子显微镜(EMMI) 侦测到。当组件故障是由于氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应、撞击游离及饱和的晶体管时，将会产生过量的电子-电洞对，而伴随因电子-电洞对销产生的光子，可由光子显微镜精确地定位出此种故障位置。此项技术对集成电路的缺陷是非常灵敏的，然而它也被用来区别是设计或测试条件所衍生的假性缺陷(光激发)。
OBIRCH
激光束引生的电阻变化异常检验(OBIRCH)，是一种利用雷射扫瞄技术的半导体故障定位仪器。它可直接并快速的透过IC正面及背面来找出缺陷位置，当IC在功能与直流测试期间，OBIRCH利用雷射扫瞄IC内部连接位置，并产生温度梯度，藉此产生阻值变化，并经由阻值变化的比对，定出IC故障的位置(阻值变化较大者)。此项技术能缩短找出阻值异常问题，从数日到几分钟，而且讯号/噪声比也能有效被降低改善，并且经由更换高电流的针座，也可进一步分析高电流及电压的组件。
C-AFM
C-AFM从字面上来看，与原子力显微镜（atomic force microscope，简称AFM）的原理其实类似，而AFM 的原理为利用微悬臂感受和放大悬臂上尖细探针和原子之间的作用力，从而达到检测的目的，具有原子级的分辨率。由于原子力显微镜既可以观察导体，也可以观察非导体，从而弥补了扫描穿隧显微镜的不足。原子力显微镜是由IBM公司苏黎世研究中心的Gerd Binnig与史丹福大学的Calvin Quate于一九八五年所发明的，其目的是为了使非导体也可以采用扫描探针显微镜（SPM）进行观测。原子力显微镜（AFM）与扫描穿隧显微镜（STM）最大的差别在于并非利用电子穿隧效应，而是利用原子之间的接触、原子键合、范德瓦耳斯力或喀希米尔效应等来呈现样品的表面特性。
而C-AFM 是利用探针在扫描试片的同时，施予电压，因此我们可以很快的看到各接触点的电流强度状况，进而可以比对且找出电性异常的位置。
奈米探针量测
奈米探针量测在目前IC制程技术门槛越来越高的世代中，是不可或缺的独特技术。以原子力显微镜成像，提供轻触模式，应用在电晶体的电气特性上，最小可至10奈米，无电子束电荷积聚的影响，可侦测出清晰的影像，pico-current 影像则可将IC电路失效清楚的表现出来。
